近日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）官方微信消息，其标准化委员会（CASAS）公布了13项标准新进展，包括2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案、2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见、9项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制。012项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草

转自：北京亦庄7月25日，北京经济技术开发区（北京亦庄）碳化硅功率芯片IDM企业——北京芯合半导体有限公司（以下简称“芯合半导体”）发布自主研发生产的SiC SBD（碳化硅二极管）、SiC MOSFET（碳化硅三极管）两个系列的多款碳化硅功率器件，为半导体产业发展注入“芯”动力。作为用来控制电流的重要半导体器件，SBD和MOSFET广泛应用于电力电子领域。而被称为第三代半导体关键材料的碳化硅（Si

来源：工商时报英特尔主推的AI加速器Gaudi 3，采用台积电5nm制程打造，被视为其技术实力的重要展现。尽管目前仍要借助台积电的代工，英特尔的追赶计划已跨大脚步进行，市场传出台积电赴美建厂以来，英特尔随即启动「抢人才」计划，大量招募台积电的资深工程师，但英特尔下一代芯片命名Falcon Shore，还是会委托台积电代工，双方目前存在既竞争又合作的微妙关系。加强与中国台湾的上游企业合作，仍是英特尔

来源：III-V EPi分子束外延 (MBE) 和金属有机化学气相外延 (MOCVD) 是用于针对III-V族半导体合成的不同类型的外延生长技术。这两种技术均将原子逐层沉积到衬底或半导体晶圆上。它们生产具有精确成分和厚度的薄晶体层和半导体异质结构，以提供所需的特定光电特性和设备性能。在本文中，III-V Epi 首席技术官兼英国阿斯顿光子技术研究所 (AIPT) 光子学教授 Richard Hog

高迎(Koh Young Technology）以世界最先进的Optomechatronics技术和机器视觉技术为基础引领世界市场。公司成立于2002年，凭借独特的基于三维测量的检测解决方案，克服了不同行业在生产现场的各种检测难题，通过智能工厂解决方案实现质量管理和工艺优化，为实现智能工厂发挥了关键作用。高迎宣布将参加 9月4日至6日在台北南港展览中心举行的 SEMICON TAIWAN 2024

据无锡日报消息，日前，韩国吉佳蓝公司与无锡市签署合作协议，在无锡高新区落户中国总部项目，将在无锡建设半导体刻蚀设备研发制造基地。据悉，此次吉佳蓝与无锡高新区、市产业集团签约合作在锡落户中国总部项目，将建设刻蚀设备装配生产线和设备产品验证线，同时计划引入纳米压印光刻设备生产，努力打造海外优质半导体装备项目示范标杆，进一步增强无锡集成电路产业核心竞争力。无锡市市长赵建军表示，期待吉佳蓝加快建设中国总部

来源：锐骏半导体 7月27日，锐骏半导体海南海口综保区封测基地正式举行通线仪式。近年来，半导体产业深受国家重视，中国正致力于构建和完善半导体产业链，包括原材料供应、设备制造、设计、制造、封装测试等各个环节。 锐骏海口综保区封测基地是一个约4万平方米，引进先进自动化生产设备和测试设备，集先进封装测试产线、规模化应用模块智能制造产线为一体的半导体封测产业基地。 海南省委常委、海口市委书记、海口市市委常

来源：Gas World韩国SK海力士宣布投资9.4万亿韩元（约合68亿美元）用于建设新的半导体园区，该园区将拥有四座最先进的晶圆厂和一个综合合作场地。该半导体园区位于龙仁市，旨在支持SK海力士的增长计划，并将有助于满足对人工智能内存半导体等产品日益增长的需求。园区占地415万平方米，目前正在进行场地准备和基础设施建设。SK海力士希望于2025年3月开始在该园区建造第一座晶圆厂，并于2027年5月

来源：Silicon SemiconductorAnalog Devices 已结成战略联盟，旨在加速完全数字化生物世界的发展。此次合作将结合ADI公司在模拟和数字半导体工程方面的专业知识与Flagship Pioneering 公司在应用生物学方面的专业知识，以促进生物洞察力的发现、提升新型增强的测量方法、诊断方法和创新的干预措施。此次合作为人类健康和可持续发展创造了突破性解决方案的机会。具体而

来源：COCO半导体英特尔、三星和台积电这三家领先的芯片代工厂已开始做出关键举措，为未来几代芯片技术吸引更多订单，并为大幅提高性能和缩短定制设计的交付时间创造了条件。与过去由单一行业路线图决定如何进入下一个工艺节点不同，这三家世界最大的晶圆代工厂正越来越多地开辟自己的道路。但他们都朝着同一个大方向前进，即采用3D晶体管和封装、一系列使能和扩展性技术，以及规模更大、更多样化的生态系统。但是，他们在方