近日，武汉集成电路产业版图再次拓展，多个产业项目签约落地，包括广钢气体电子气体华中区域总部项目、卓瓷科技武汉研发生产基地项目、武汉市集成电路技术与产业促进中心（ICC）、三维相变存储器研发及产业化项目、聚芯微集成电路设计项目、微崇半导体集成电路量测设备项目等，涉及EDA、存储、零部件、材料、设备、制造、封测等多个细分领域领域。其中，三维相变存储器研发及产业化项目备受业界关注。01新型存储器项目落户

据上海电力大学官方公众号，上海电力大学日前举办特聘教授张汝京博士聘任仪式。张汝京表示，受聘特聘教授是压力也是责任，将积极投身人才培养、师资建设、产学研平台建设，打破校企壁垒，推动产教融合向纵深发展。公开资料显示，张汝京是全球半导体行业的杰出代表，被誉为 “中国半导体之父”。他毕业于台湾大学，后在美国纽约州立大学水牛城分校获得工程学硕士学位，并在南方卫理公会大学获得电子工程博

近日，扬杰科技、长电科技和英诺赛科等三家公司陆续公布财报。从财报数据来看，三家公司均实现了营收与利润的双增长，同时在技术创新、产能扩张及市场拓展方面展现出强劲的发展势头。扬杰科技3月31日，扬杰科技披露了其2024年度财务报告。报告显示，该公司2024年实现营业收入60.33亿元，同比增长11.53%；归属于上市公司股东的净利润10.02亿元，同比增长8.50%。其中在第一到第四季度的营收逐季增长

2025年9月23日，深圳稳顶聚芯技术有限公司宣布其自主研发的首台国产高精度步进式光刻机（WS180i系列）顺利出厂，主要应用于Mini/Micro LED光电器件、光芯片、功率器件等化合物半导体领域。据悉，此次出厂的步进式光刻机属于WS180i系列。该系列产品主要面向mini/micro LED光电器件、光芯片、功率器件等化合物半导体领域，能够灵活适配硅片、蓝宝石、SiC等不同衬底材料，满足多样

近日，北京市经信局和北京通信管理局联合印发《北京市5G规模化应用“扬帆”行动升级方案（2025—2027年）》（以下简称“《行动升级方案》”）的通知，到2027年底，构建形成“能力普适、应用普及、赋能普惠”的5G发展格局，全面实现5G规模化应用，提升5G赋能千行百业应用水平，成为国内领先的5G应用标杆城市，其中芯片

4月10日，意法半导体（STMicroelectronics）宣布了一项全面战略计划，旨在通过重塑制造布局和优化全球成本基础，提升其在半导体行业的竞争力。该计划涉及先进制造技术的投资以及全球生产基地的整合，目标是在快速变化的碳化硅市场中占据有利地位。source：意法半导体意法半导体计划在2025至2027财年进行大规模投资，重点聚焦于300毫米硅和200毫米碳化硅的先进制造基础设施及技术研发。未

近期，欧盟委员会公布了一项“人工智能大陆行动计划”，以加强欧盟的人工智能（AI）计算基础设施。据了解，欧盟“人工智能大陆行动计划”主要包括五大核心措施：构建大规模人工智能数据与计算基础设施，增加获取大量高质量数据的渠道、开发算法并促进欧盟战略部门采用人工智能、加强人工智能技能和人才以及简化监管等。欧盟指出，将调动200亿欧元（约合人民币1663.2亿

近期我国多家企业在碳化硅设备领域取得了显著进展，推动了我国在第三代半导体材料装备制造方面的自主创新能力。其中，晶驰机电成功开发出电阻法12英寸碳化硅晶体生长设备，实现了同一炉台8英寸和12英寸碳化硅单晶的稳定量产；山西天成的12英寸碳化硅长晶炉也已进入炉体组装和工艺调试阶段，计划于2025年第三季度投放市场；江苏天晶智能正式发布12英寸碳化硅超硬材料超高速多线切割机。晶驰机电成功开发出电阻法12寸

从硅（Si）到砷化镓（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），半导体材料禁带宽度的拓宽始终驱动着性能边界的拓展。如今，氧化镓（Ga₂O₃）作为第四代超宽禁带半导体材料的代表，正以其颠覆性的物理特性与成本优势，掀起一场新的半导体革命。氧化镓熔点高达1900℃，不溶于水，微溶于热酸或碱溶液。其β相稳定性最佳，具有4.9eV的禁带宽度（远超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及

2025年4月14日–世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际荣幸宣布再度刷新DDR5内存最高速度超频世界纪录，由极限超频专业好手Seby达成此惊人成绩，使用由使用由严选SK海力士高效能DDR5 IC打造的芝奇Trident Z5系列F5-8000J3848F24GX2-TZ5K套装中的单根24GB内存，搭配ASUS ROG Maximus Z890 Apex主板及Intel&